天津：泛在电力物联网的探索与实践成果

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然而，践成研究人员却意外发现六方氮化硼与铜（111）横向对接（lateraldocking）之后，可以增强六方氮化硼的外延生长，并保证了该外延生长是单向的。研究还发现，天津探索由此制备的单晶六方氮化硼可以集成到二硫化钼和二氧化铪之间作为界面层，能够大大增强晶体管的电学性能。电力【图文导读】图1蓝宝石基质上的铜（111）晶格取向图2单晶六方氮化硼的生长和原子结构图3DFT计算图4晶圆级六方氮化硼转移过程的示意图以及光学照片文献链接：Wafer-scalesingle-crystalhexagonalboronnitridemonolayersonCu(111)（Nature,2020,DOI:10.1038/s41586-020-2009-2）本文由材料人学术组NanoCJ供稿。

材料牛网专注于跟踪材料领域科技及行业进展，物联网欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，投稿邮箱[email protected]。以往理论认为，践成六方氮化硼单层无法在高对称的铜（111）金属表面实现单向生长

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